(CercleFinance.com) - STMicroelectronics et Samsung Electronics annoncent la signature d'un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d'une collaboration de production multi-sources.

Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST.

La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande permanente en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie dont les produits électroniques de nouvelle génération ont besoin, notamment les produits mobiles et destinés au grand public.

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