(CercleFinance.com) - Soitec, spécialiste de la génération et de la production de matériaux semi-conducteurs pour l'électronique et l'énergie, et la société chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology (Silian), fournisseur de matériaux, produits et systèmes destinés à l'industrie de l'éclairage, ont signé un accord de partenariat portant sur le développement conjoint de pseudo-substrats
en nitrure de gallium (GaN) utilisant la HVPE ou méthode d'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy).

'Les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus permettent de fabriquer des
diodes électroluminescentes (LED) performantes en réalisant des économies exceptionnelles', précise Soitec.

L'accord de développement conjoint signé par les deux sociétés doit permettre de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de
saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec.

Les deux partenaires envisagent d'échantillonner les premiers pseudo-substrats en GaN cette année.

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