(CercleFinance.com) - Soitec fait part de la signature avec Resonac Corporation d'un accord pour développer des plaques de carbure de silicium (SiC) SmartSiC de 200 mm en utilisant les substrats et les procédés d'épitaxie de Resonac.
'Il s'agit d'une étape majeure pour le déploiement de la technologie de carbure de silicium à haut rendement de Soitec au Japon et sur d'autres marchés internationaux', affirme le groupe de matériaux semiconducteurs.
La combinaison des technologies et produits respectifs de Soitec et Resonac doit en effet permettre d'améliorer le rendement et la productivité du SiC, de façon à accélérer son adoption pour les applications industrielles et les véhicules électriques.
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